Infineon、1200V SiCをPCBに埋め込む技術を発表

原典とのAI照合を通過 ／ 短報

Infineonは、電気自動車向けインバーター用に1200V SiC MOSFETをPCB内に埋め込む技術を発表した。

本記事の収集・日本語化・構成にはAIを使用しています。機械による照合と人による確認は区別して表示しています。企業が発表した性能・実績は発表元の主張であり、本紙による実機検証を意味しません。原典もあわせてご確認ください。