何が起きたか

米IBMは2026年6月25日、業界初となる0.7nm（ナノメートル）世代のロジック半導体技術を発表した。同社は2枚のシリコンウエハーを貼り合わせる3次元（3D）構造「NanoStack（ナノスタック）」を導入し、2ナノ世代比で集積度を2倍に高めたとしている。消費電力当たりの性能は5割高まり、性能が同じなら消費電力は7割減るとされる。

詳細

IBMの新技術は、TSMC・インテル・サムスンとは異なる新構造を採用している。同社は2030年代前半に量産化する見通しで、0.1nm（1A）といった将来世代への道筋をつけたとしている。 一方、日本のラピダスは「2ナノ優先」の方針で、IBMとの協業は未定と報じられている。

Key Facts

米IBMは2026年6月25日、業界初となる0.7nm世代のロジック半導体技術を発表した。[1]
新技術は2枚のシリコンウエハーを貼り合わせる3次元（3D）構造「NanoStack（ナノスタック）」を導入する。[1]
2ナノ世代比で集積度を2倍に高めた。[1]
消費電力当たりの性能は5割高まり、性能が同じなら消費電力は7割減る。[1]
2030年代前半に量産化する見通し。[1]
0.1nm（1A）といった将来世代への道筋をつけた。[1]
TSMC・インテル・サムスンとは異なる新構造を採用。[1]
ラピダスは「2ナノ優先」で、IBMとの協業は未定。[1]

なぜ重要か

半導体の微細化が限界に近づく中、IBMの3Dウエハー接合技術は新たな道筋を示すものだ。2030年代前半の量産化が実現すれば、半導体業界の競争構図に影響を与える可能性がある。

日本への影響

日本のラピダスは「2ナノ優先」の方針で、IBMとの協業は未定と報じられており、今後の動向が注目される。