何が起きたか
キオクシア株式会社は、次世代のオンデバイスAI対応モバイル機器およびエッジデバイス向けに設計されたUFS 5.0対応組み込み式フラッシュメモリの1TBおよび512GBの容量のサンプル出荷を開始した。量産は2026年中を予定している。
詳細
キオクシアは2026年7月29日、UFS 5.0対応組み込み式フラッシュメモリのサンプル出荷開始を発表した。新製品は、自社開発のUFS 5.0コントローラーと第8世代BiCS FLASH 3次元フラッシュメモリを組み合わせ、前世代品と比較して性能、電力効率、パッケージングの改善を実現している。最新のJEDEC UFS 5.0規格に準拠し、物理層にMIPI M-PHY version 6.0、プロトコルにUniPro version 3.0を採用。HS-Gear6動作では理論上最大1レーンあたり46.6Gb/sのインターフェーススピードをサポートし、2レーンでは約10.8GB/sの実効読み書き性能を実現する。 主な仕様として、シーケンシャルリード性能は最大10GB/s、シーケンシャルライト性能は最大9.0GB/s。前世代品と比較して電力効率が向上し、熱制御機構も向上した。パッケージは前世代製品よりも小型でコンパクトな7.5×13mmのBGAパッケージを採用する。容量は1TBと512GBの2種類。 同社は、オンデバイスAIを搭載したプレミアムスマートフォン向けのみならず、AI対応タブレット、ゲームシステム、AR/VRデバイス、ロボット、スマートセキュリティカメラ、産業用エッジアプリケーションなどでの活用を想定している。8月4日から8月6日まで米国カリフォルニア州サンタクララで開催される「FMS: the Future of Memory and Storage」で展示とデモを行う予定。
Key Facts
| キオクシアは2026年7月29日、UFS 5.0対応組み込み式フラッシュメモリの1TBおよび512GBのサンプル出荷開始を発表した。 | [1] |
| 量産は2026年中を予定している。 | [1] |
| 新製品は自社開発のUFS 5.0コントローラーと第8世代BiCS FLASH 3次元フラッシュメモリを組み合わせている。 | [1] |
| JEDEC UFS 5.0規格に準拠し、物理層にMIPI M-PHY version 6.0、プロトコルにUniPro version 3.0を採用。 | [1] |
| HS-Gear6動作では理論上最大1レーンあたり46.6Gb/sのインターフェーススピードをサポートし、2レーンでは約10.8GB/sの実効読み書き性能を実現する。 | [1] |
| シーケンシャルリード性能は最大10GB/s、シーケンシャルライト性能は最大9.0GB/s。 | [1] |
| 前世代品と比較して電力効率が向上し、熱制御機構も向上した。 | [1] |
| パッケージは7.5×13mmのBGAパッケージを採用。 | [1] |
| 8月4日から8月6日まで米国カリフォルニア州サンタクララで開催される「FMS: the Future of Memory and Storage」で展示とデモを行う予定。 | [1] |
なぜ重要か
オンデバイスAIでは、生成AIや大規模言語モデル（LLM）の処理を端末側で実行する流れが広がっており、ストレージには高速なデータアクセスと電力効率が求められる。キオクシアのUFS 5.0製品は、リード性能のボトルネックを解消し、オンデバイスAIアプリケーションでの高度なユーザー体験を可能にするとしている。